无机盐工业 ›› 2023, Vol. 55 ›› Issue (12): 82-87.doi: 10.19964/j.issn.1006-4990.2023-0059
段锐(), 贾朝航, 徐茂兰, 马天悦, 彭文才(
), 张建树(
)
DUAN Rui(), JIA Zhaohang, XU Maolan, MA Tianyue, PENG Wencai(
), ZHANG Jianshu(
)
摘要:
去除三氯氢硅(SiHCl3)中的碳杂质可提高多晶硅的纯度,但SiHCl3和二甲基一氯硅烷[(CH3)2SiHCl]的沸点极为接近,在精馏过程中易形成共沸物。因此,SiHCl3中的(CH3)2SiHCl较难去除。提出以Cl2为氯源,通过热氯化反应将(CH3)2SiHCl转化为高沸点的甲基氯硅烷,以增大相对挥发度,便于后续精馏除杂。但(CH3)2SiHCl和SiHCl3会同时发生氯化反应,为此,探究了两者转化率随温度的变化。结果表明,在60 ℃、120 min时,(CH3)2SiHCl的转化率为53.1%,SiHCl3的转化率为14.3%,(CH3)2SiHCl的转化率最佳。最后,通过密度泛函理论计算分析了反应路径,确定了反应机理。SiHCl3、(CH3)2SiHCl氯化反应的能垒差在于Cl2与SiCl3·、(CH3)2SiCl·反应的能垒,且Cl2与SiCl3·反应的能垒比与(CH3)2SiCl·反应的能垒高60.4 kJ/mol。
中图分类号: